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Queensland Semiconductor Technologies ist ein führender Innovator im Bereich hochspannungsfähiger Siliziumkarbid-Halbleiterlösungen und bedient Branchen wie Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt. Ihr Produktangebot umfasst homogene SiC-Schottky-Dioden, N-Kanal-SiC-MOSFETs und den fortschrittlichen Trench Clustered Insulated Gate Bipolar Transistor. Diese Komponenten sind in verschiedenen Spannungs- und Stromstärken erhältlich, von 650V bis 5000V und 6A bis 66A, angeboten in verpackten Geräten, Wafern oder als nackte Chips. Hauptmerkmale und Funktionalität: - Homogene SiC-Schottky-Dioden: Bieten effizientes Hochspannungsschalten mit geringem Leistungsverlust, erhältlich in Spannungsstärken bis zu 5000V und Stromstärken bis zu 33A. - N-Kanal-SiC-MOSFETs: Bieten schnelle Schaltfähigkeiten mit geringer elektromagnetischer Interferenz, erhältlich in Spannungsstärken bis zu 1700V und Stromstärken bis zu 66A. - Trench Clustered Insulated Gate Bipolar Transistor: Bietet einen verbesserten Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und reduzierte Abschaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Trench-IGBTs, was die Leistung in Motorantrieben und Wechselrichtern verbessert. Primärer Wert und bereitgestellte Lösungen: Die Halbleiterprodukte von Quest adressieren die wachsende Nachfrage nach effizienten, leistungsstarken Komponenten in kritischen Anwendungen. Durch das Angebot fortschrittlicher SiC-Technologie ermöglicht Quest es den Branchen, höhere Energieeffizienz, reduzierte Systemverluste und verbesserte Zuverlässigkeit zu erreichen. Ihr Engagement für Innovation unterstützt die Entwicklung transformativer Technologien und trägt zu einer nachhaltigen und technologisch fortschrittlichen Zukunft bei.